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LF150
Prozess Spezifikation
LF150 ist ein modularer 0.15µm RF CMOS Prozess mit bis zu 6 Verdrahtungsebenen (Alu) plus einem dicken Metall (2 - 6µm), einer optionalen MIM Kapazität, einer Polyimide Passivation und I/Os mit Spannungen von 1.8V, 3.3V bis 5.0V.
Prozess Optionen
| Grund Prozess Module | | Modul Name | Masken | Beschreibung | | MOS18L | 19 | 1.8V MOS Modul mit geringem Leckstrom, einer Poly Schicht und 4 Metallagen | | MOS18S | 19 | 1.8V MOS standard Modul mit einer Poly Schicht und vier Metallagen | | MOS18SL | 21 | 1.8V MOS mit geringem Leckstrom und Standard, mit einer Poly Schicht und vier Metallagen | Folgende zusätzliche Module stehen zur Verfügung. | Zusatzmodule | | Modul Name | Masken | Beschreibung | | MOS3 | 6 | 3.3V MOS Modul, zusätzliches Gate Oxid | | MOS5 | 5 | 5.0V MOS Modul, zusätzliches Gate Oxid | | MOS35 | 10 | 3.3V and 5.0V MOS Modul, zwei zusätzliche Gate Oxide | | M5 | 2 | 5 Metallagen | | M6 | 4 | 6 Metallagen | | MT | 2 | Dickes Metall (2 - 6µm) | | MIM | 1 | Metall - Isolator - Metall Kapazität | | NISO | 1 | N Isolierung für P WELL, zusätzlicher parasitärer NPN Bipolar Transistor | | PIQ | 1 | Polyimid Passivierung |
Prozessfluss
| Masken Übersicht | | Ebene | Beschreibung | | DIFF | define active area | | NISO | isolate PWELL, NPN bipolar transistor | | NWELL | common well for PMOS | | PWELL | common well for NMOS | | P_MVT | PMOS threshold adjust for 3.3V | | N_MVT | NMOS threshold adjust for 3.3V | | P_CORE | PMOS standard threshold adjust | | N_CORE | NMOS standard threshold adjust | | P_LOWL | PMOS low leak threshold adjust | | N_LOWL | NMOS low leak threshold adjust | | MVT | define 3.3V gate oxide area | | NO_LVT | define NOT 1.8V gate oxide area | | N_DUALGTE | N poly doping | | HVT | define 16V gate oxide area | | POLY2 | transistor gates, resistors | | P_MIN_LVT | PMOS extension 1.8V | | N_MIN_LVT | NMOS extension 1.8V | | P_MIN_MVT | PMOS extension 3.3V | | N_MIN_MVT | NMOS extension 3.3V | | P_MIN_HVT | PMOS extension 5.0V | | N_MIN_HVT | NMOS extension 5.0V | | | Masken Übersicht | | Ebene | Beschreibung | | P_PLUS | PMOS source/drain | | N_PLUS | NMOS source/drain | | SALBLOCK | salicide block - defines notsalicided area | | CONT | contact to poly and active area | | METAL1 | metalization level 1 | | VIA1 | connect metal 1 and metal 2 | | METAL2 | metalization level 2 | | VIA2 | connect metal 2 and metal 3 | | METAL3 | metalization level 3 | | VIA3 | connect metal 3 and metal 4 | | METAL4 | metalization level 4 | | VIA4 | connect metal 4 and metal 5 | | METAL5 | metalization level 5 | | MIM1 | metal insulator metal capacitor top electrode | | VIA_F | final via | | METAL_F | final metal | | VIA_T | connect METAL_F and METAL_T | | METAL_T | thick metal | | SIL | open passivation | | PIQ | open polyimide | | IVD | open inductor passivation | |
Bauelementübersicht
MOS Transistoren | Bauelement | Name | Modul | Vt | Ids | BVds | Ioff (typ/max) | Vds/Vgb (max) | | | | | V | µA/µm | V | pA/µm | V | | 1.8V NMOS Standard | nmos_hs | MOS18S oder MOS18SL | 0.58 | 600 | 4 | 5/70 | 2.0 | | 1.8V NMOS geringem Leckstrom | nmos_ll | MOS18L oder MOS18SL | 0.70 | 500 | 4 | 1/3 | 2.0 | | 3.3V NMOS | nmos_3 | MOS3 oder MOS35 | 0.58 | 500 | 10 | 1/100 | 3.7 | | 5.0V NMOS | nmos_5 | MOS5 oder MOS35 | 0.7 | 400 | 11 | 1/10 | 6.0 | | 1.8V PMOS Standard | pmos_hs | MOS18S oder MOS18SL | -0.54 | -230 | -5 | -2/-70 | -2.0 | | 1.8V PMOS geringem Leckstrom | pmos_ll | MOS18L oder MOS18SL | -0.67 | -180 | -5 | -0.5/-3 | -2.0 | | 3.3V PMOS | pmos_3 | MOS3 oder MOS35 | -0.54 | -380 | -7 | -2/-70 | -3.7 | | 5.0V PMOS | pmos_5 | MOS5 oder MOS35 | -0.7 | -270 | -10 | -1/-10 | -6.0 | Alle NMOS Transistoren sind auch mit einer isolierten N-Wanne vorhanden (NISO). Zur Für die isolierte Version gibt es zur Zeit kein eigenes Simulationsmodell.
Bipolar Transistoren | Bauelement | Name | Modul | Vbe | hFE | | | | | V | | | 3.3V NPN | npn | NISO; MOS3 oder MOS35 | 0.67 | 35 | | 3.3V PNP | pnp | MOS3 oder MOS35 | -0.66 | 21 |
Kapazitäten | Bauelement | Name | Modul | Flächenkapazität | Bemerkung | | | | | fF/µm2 | | | MIM | cmim | MIM | 0.98 | | | MOS Cap 1.8V NMOS | ccapn_l | im Grund Modul | 9.4 | @ -1.8V, 25% Abfall bei-1.1V | | MOS Cap 3.3V NMOS | ccapn | MOS3 oder MOS35 | 4.8 | @ -3.3V, 25% Abfall bei -1.0V | | MOS Cap 5.0V NMOS | ccapn_h | MOS5 oder MOS35 | 2.0 | @ -5.0V, 25% Abfall bei -1.2V | | MOS Cap 3.3V PMOS | ccapp | MOS3 oderMOS35 | 4.9 | @ 3.3V, 25% Abfall bei 1.0V |
Widerstände | Bauelement | Name | Modul | RS | rel. Temp. Koeff. | | | | | Ω/quadrat | 10 -3/K | | N+poly salicide | rnpoly_s | im Grund Modul | 10 | 2.8 | | P+poly salicide | rppoly_s | im Grund Modul | 10 | 4 | | P+poly low | rppoly_l | im Grund Modul | 340 | -0.15 | | P+poly high | rppoly_h | im Grund Modul | 2200 | -1.75 | | LTC Poly | rnpoly_lt | im Grund Modul | 135 | < 0.02 | | N+PWELL | rpwell_n | im Grund Modul | 110 | 1.5 | | P+NWELL | rnwell_p | im Grund Modul | 175 | 0.5 | | NWELL | rnwell | im Grund Modul | 1250 | 5.5 | | NWELL + STI | rnwell_s | im Grund Modul | 1900 | 5.5 | | Metal | rmet_1 ... rmet_5 | im Grund Modul | 0.08 | 3.2 | | Metal Final | rmet_f | im Grund Modul | 0.04 | 3 |
Design-Regeln | Maske 1 | Maske 2 | Weite [µm] | Abstand [µm] | | NWELL | | 1.5 | 1.5 | | Active Area | | 0.32 | 0.32 | | Poly Silicon Gate | | 0.15 | 0.26 | | Poly Silicon Gate | Contact | | 0.12 | | Poly Silicon Gate | Active Area | | 0.14 | | Contact | | 0.18 | 0.3 | | Metal 1/2/3/4/5 | | 0.24 | 0.24 | | Via 1/2/3/4 | | 0.24 | 0.24 | | Final Metal | | 0.58 | 0.58 | | Final Via | | 0.24 | 0.24 |
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